GB/T 11297.7-1989銻化銦單晶電阻率及霍耳系數(shù)的測(cè)試方法
發(fā)布時(shí)間： 2023-08-23 13:33:52 點(diǎn)擊： 1035
GB/T 11297.7-1989銻化銦單晶電阻率及霍耳系數(shù)的測(cè)試方法
這是一個(gè)關(guān)于銻化銦單晶電阻率和霍耳系數(shù)的測(cè)試方法的標(biāo)準(zhǔn)。它規(guī)定了使用四探針?lè)y(cè)量銻化銦單晶電阻率和霍耳系數(shù)的測(cè)試方法。
在四探針?lè)ㄖ校褂盟膫€(gè)探針按照直線(xiàn)排列，分別與材料接觸，然后通過(guò)電源向材料施加一定的電流，同時(shí)測(cè)量材料兩端的電壓。根據(jù)歐姆定律，可以計(jì)算出材料的電阻率。
四探針?lè)ㄖ荒軠y(cè)量材料的平均電阻率，無(wú)法測(cè)量材料的局部不均勻性和突變。此外，測(cè)試結(jié)果受到探針與材料接觸電阻、測(cè)試環(huán)境的溫度和濕度等因素的影響。因此，在進(jìn)行測(cè)試時(shí)，需要控制測(cè)試條件并采取必要的修正措施，以保證測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。
銻化銦單晶電阻率為5.76 × 10^-4 Ω·m。
霍耳系數(shù)，又稱(chēng)霍爾效應(yīng)（Hall effect），是指當(dāng)固體導(dǎo)體放置在一個(gè)磁場(chǎng)內(nèi)，且有電流通過(guò)時(shí)，導(dǎo)體內(nèi)的電荷載子受到洛倫茲力而偏向一邊，繼而產(chǎn)生電壓（霍爾電壓）的現(xiàn)象。電壓所引致的電場(chǎng)力會(huì)平衡洛倫茲力。通過(guò)霍爾電壓的極性，可證實(shí)導(dǎo)體內(nèi)部的電流是由帶有負(fù)電荷的粒子（自由電子）之運(yùn)動(dòng)所造成。霍爾效應(yīng)于1879年由埃德溫·赫伯特·霍爾（Edwin Herbert Hall）發(fā)現(xiàn)。除導(dǎo)體外，半導(dǎo)體也能產(chǎn)生霍爾效應(yīng)，而且半導(dǎo)體的霍爾效應(yīng)要強(qiáng)于導(dǎo)體。
